HEPS技術(shù)創(chuàng)新推廣目錄
節(jié)選自《中科院重大科技基礎(chǔ)設(shè)施技術(shù)創(chuàng)新推廣目錄》(2022年6月發(fā)布)
數(shù)字束流位置測(cè)量處理器 |
依托單位:中科院高能物理研究所
依托設(shè)施:高能同步輻射光源
研制完成時(shí)間:2018年 |
由于硬件設(shè)計(jì)難度大、固件算法復(fù)雜,國(guó)際上數(shù)字束流位置測(cè)量處理器(DBPM)受國(guó)外公司壟斷,產(chǎn)品價(jià)格昂貴,二次開發(fā)困難,維護(hù)升級(jí)成本高。為此,高能所研發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的處理器,將應(yīng)用于高能同步輻射光源,整個(gè)工程需要近千套此處理器。 |
主要指標(biāo) |
應(yīng)用或潛在應(yīng)用 |
1.單次通過位置分辨率20μm;
2.實(shí)驗(yàn)室位置分辨率優(yōu)于21nm(10Hz)。 |
DBPM樣機(jī)已在北京正負(fù)電子對(duì)撞機(jī)重大改造工程直線加速器和儲(chǔ)存環(huán)上分別使用了19臺(tái)和61臺(tái),性能優(yōu)良。DBPM可用于正在建設(shè)和未來要建設(shè)的各種類型加速器裝置。 |
聯(lián)系人:岳軍會(huì)yuejh@ihep.ac.cn |
硅通孔技術(shù)工藝X射線像素陣列探測(cè)器 |
依托單位:中科院高能物理研究所
依托設(shè)施:高能同步輻射光源
研制完成時(shí)間:2020年 |
成功研制了基于硅通孔技術(shù)(TSV)的像素陣列探測(cè)器工程樣機(jī)。TSV是一種多層封裝技術(shù),其成功應(yīng)用大幅縮小了模塊間的縫隙寬度,改善了探測(cè)器在低能區(qū)的響應(yīng),還可以集成更多功能。所有關(guān)鍵技術(shù)及工藝方法全部實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化,樣機(jī)性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際主流同類探測(cè)器產(chǎn)品水平。 |
主要指標(biāo) |
應(yīng)用或潛在應(yīng)用 |
1. 由18個(gè)探測(cè)模塊組成,單模塊像素陣列208×288,像素尺寸150μm×150μm。
2. 單像素動(dòng)態(tài)范圍106cps;幀頻1kHz;讀出時(shí)間小于100ns。
模塊間的縫隙寬度小于2.5毫米。 |
X射線像素陣列探測(cè)器可實(shí)現(xiàn)無噪聲單光子測(cè)量,除了可滿足同步輻射光源需求,還可應(yīng)用于常規(guī)X射線衍射、散射和成像實(shí)驗(yàn),有效提高實(shí)驗(yàn)效率;在醫(yī)學(xué)成像領(lǐng)域也有廣闊應(yīng)用前景,可減小照射劑量、提高成像信噪比,獲得動(dòng)態(tài)圖象。 |
聯(lián)系人:劉鵬liup@ihep.ac.cn |
高品質(zhì)因數(shù)1.3 GHz 9-cell超導(dǎo)腔 |
依托單位:中科院高能物理研究所
依托設(shè)施:高能同步輻射光源
研制完成時(shí)間:2020年 |
在國(guó)際上首次成功實(shí)現(xiàn)了1.3 GHz 9-cell超導(dǎo)腔的中溫退火工藝和小批量超導(dǎo)腔的試制。品質(zhì)因數(shù)Q值測(cè)試結(jié)果處于同類超導(dǎo)腔的國(guó)際領(lǐng)先水平,成果打破了國(guó)外在射頻超導(dǎo)方面的技術(shù)壟斷。 |
主要指標(biāo) |
應(yīng)用或潛在應(yīng)用 |
1.品質(zhì)因數(shù)Q值:4.5E10@16.0MV/m;
2.最大加速梯度:達(dá)到31.3MV/m。 |
高性能1.3 GHz超導(dǎo)腔及其模組已廣泛應(yīng)用于世界多臺(tái)大型超導(dǎo)加速器中,還可應(yīng)用于我國(guó)正在建造及規(guī)劃的自由電子激光裝置和高能對(duì)撞機(jī)等設(shè)施。 |
聯(lián)系人:翟紀(jì)元 zhaijy@ihep.ac.cn |
全目錄參見:中科院重大科技基礎(chǔ)設(shè)施共享服務(wù)平臺(tái)----技術(shù)創(chuàng)新
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