光束線

實(shí)驗(yàn)站

研究內(nèi)容

實(shí)驗(yàn)技術(shù)

能量范圍

用光模式

1W1A

漫散射

實(shí)驗(yàn)站

晶體材料薄膜、多層膜納米材料

X射線共面衍射／散射

X射線掠入射衍射／散射

X射線反射率／非鏡面散射

X射線掠入射小角散射

8.05keV

專用、

兼用

1W1B

XAFS實(shí)驗(yàn)站

材料科學(xué)、納米科學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、環(huán)境科學(xué)、化學(xué)化工、能源催化、人文考古

透射XAFS

熒光XAFS

4.8-22.8keV

專用、

兼用

1W2A

小角散射實(shí)驗(yàn)站

納米材料、介孔材料、生物大分子、高聚物等

透射小角X射線散射（SAXS）、

廣角X射線散射（WAXS）、

SAXS-WAXS同時測量；

掠入射SAXS、WAXS

8keV

專用、兼用

1W2B

綜合測試實(shí)驗(yàn)站

多方法實(shí)驗(yàn)技術(shù)的發(fā)展、常規(guī)吸收譜學(xué)、基于高性能探測器的方法學(xué)研究

XAFS、激光pump-X光probe時間分辨實(shí)驗(yàn)、XAFS/XRD聯(lián)用實(shí)驗(yàn)、SAXS/WAXS/XAFS聯(lián)用實(shí)驗(yàn)

5-18keV

專用、兼用

3W1

高能測試線站

高能X射線設(shè)備和技術(shù)驗(yàn)證，高能X射線應(yīng)用研究

成像（白光&單色光）

高能動態(tài)衍射 PDF

白光

單色光：40-80keV

專用

1B3

光刻、LIGA實(shí)驗(yàn)站

X射線光學(xué)元件研制，如光柵，折射透鏡等

納米光刻

深度X射線光刻

納米光刻：1-3keV

深度X射線光刻：3-12keV 

專用、兼用

4W1A

X射線成像站

晶體形貌

微米相位襯度成像

納米全場成像

微米成像：5-26keV

納米成像：6-10keV

專用、兼用（微米成像）

4W1B

X射線熒光微分析實(shí)驗(yàn)站

物理、催化、生物醫(yī)學(xué)、環(huán)境科學(xué)、材料科學(xué)、人文考古、法學(xué)鑒定

XRF

微區(qū)XRF

XES(發(fā)射譜)

粉光聚焦模式 5-18keV及10-18keV

專用、兼用

4W2

高壓實(shí)驗(yàn)站

高溫/低溫高壓下物性研究

高壓粉末XRD
高壓單晶XRD
高壓徑向XRD

10-25keV

專用

4B8

真空紫外實(shí)驗(yàn)站

熒光粉、閃爍體等發(fā)光材料

專用、兼用

4B7A

中能實(shí)驗(yàn)站

能源環(huán)境、材料、化學(xué)、生物科學(xué)等領(lǐng)域；探測器標(biāo)定、光學(xué)元件表征、X射線輻射計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)

X射線吸收譜（XAS）； X射線光學(xué)計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)測定、X射線探測器標(biāo)準(zhǔn)傳遞和標(biāo)定、光學(xué)元件的透射比、反射率或者衍射效率標(biāo)定

Si(111)：2100eV-5700 eV

InSb（111）：1750eV-3400eV

專用、兼用

4B7B

軟X光實(shí)驗(yàn)站

能源環(huán)境、材料、化學(xué)等科學(xué)領(lǐng)域；探測器標(biāo)定、光學(xué)元件表征、X射線計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)

近邊X射線吸收譜（XANES）；X射線光學(xué)計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)測定、X射線探測器標(biāo)準(zhǔn)傳遞和標(biāo)定、光學(xué)元件的透射比及反射率標(biāo)定；

50eV-1700eV

專用、兼用

4B9A

衍射站

材料科學(xué)、納米科學(xué)、催化能源、生物科學(xué)

X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)（XAFS）

X射線衍射(XRD)

X射線反射率（XRR）

衍射異常精細(xì)結(jié)構(gòu)（DAFS）

5-13keV

專用、兼用

4B9B

光電子能譜實(shí)驗(yàn)站

材料科學(xué)、催化能源、電子結(jié)構(gòu)研究

同步輻射光電子能譜（SRPES）、角分辨光電子能譜（ARPES）、軟X射線吸收譜（NEXAFS）

15-1000eV

專用、兼用