4月30日，中科院高能所加速器中心研制的兩只環(huán)形正負(fù)電子對撞機(jī)(CEPC) 650 MHz 1-cell超導(dǎo)腔（650S4、650S7）完成了垂直測試。測試結(jié)果顯示：在2K溫度下，650S4的品質(zhì)因數(shù)Q值達(dá)到2.7E10@35MV/m，650S7的Q值達(dá)到3.6E10@32MV/m。該結(jié)果創(chuàng)造了國內(nèi)低頻率（<1GHz）橢球型超導(dǎo)腔加速梯度的最高記錄，與世界領(lǐng)先水平相當(dāng)。

　　這兩只650 MHz 1-cell超導(dǎo)腔的研發(fā)充分借鑒了之前高能所1.3 GHz超導(dǎo)腔研發(fā)的成功經(jīng)驗(yàn)：650S4是一只細(xì)晶粒超導(dǎo)腔，采用了重化學(xué)拋光+輕電拋光的技術(shù)路線；650S7則是一只大晶粒超導(dǎo)腔，先采用柔性（流體）拋光處理了表面的缺陷，再進(jìn)行輕電拋光處理。

　　下一步，課題組將優(yōu)化工藝，進(jìn)一步提高650 MHz 1-cell超導(dǎo)腔（尤其是大晶粒）的加速梯度和品質(zhì)因數(shù)，并從1-cell向2-cell推廣。

　　本項(xiàng)研究工作得到了先進(jìn)光源研發(fā)與測試平臺(PAPS)、CEPC預(yù)研項(xiàng)目的大力支持。

　　CEPC 650 MHz 1-cell超導(dǎo)腔測試結(jié)果（fine grain，細(xì)晶粒。large grain，大晶粒）